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PN8611-内置mos原边反馈芯片

所属分类:芯朋微电源ic
品牌:芯朋微
型号:PN8611
封装:SOP-8
功率:12W
电流:520mA
订购热线:0755-23087599
  PN8611内置mos原边反馈芯片集成超低待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容、VDD供电二极管、CS电阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件超精简的充电器、适配器和内置电源。  
  PN8611为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,内置输出线补偿功能使系统获得较好的负载调整率。  
  PN8611内置mos原边反馈芯片提供了极为全面的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护和输出短路保护等。
  
  PN8611内置mos原边反馈芯片产品特征  
  ■ 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET  
  ■ 内置高压启动电路,小于50mW空载损耗(230VAC)  
  ■ 采用多模式技术提高效率,满足6级能效标准  
  ■ 全电压输入范围±5%的CC/CV精度  
  ■ 原边反馈可省光耦和TL431  
  ■ 无需电流采样电阻、FB反馈下电阻、VDD供电二极管  
  ■ 无需额外补偿电容  
  ■ 无音频噪声 
  ■ 智能保护功能  
     过温保护 (OTP)  
     VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)  
     逐周期过流保护 (OCP)  
     开环保护 (OLP)
  
  封装/订购信息
  
  PN8611管脚定义
管脚名 管脚标号 管脚功能描述
DIO 1 辅助绕组给VDD电容充电引脚
VDD 2 工作电压输入引脚
FB 3 反馈引脚,辅助绕组电压通过电阻反馈稳定输出
GND 4 地电位
SW 5,6,7,8 智能功率MOSFET Drain端引脚,跟变压器初级相连
  
  PN8611内置mos原边反馈芯片典型功率
  
  PN8611典型应用电路
  
  外围参数选择参考  
  为了获得更佳的 PN8611 系统性能,请务必遵守以下规则:  
  1. VDD 电容 EC1 应放置在距离 VDD 引脚和 GND 引脚最近的地方。  
  2. 辅助绕组经 R1 到 FB 脚的走线尽量短,使 FB 采样回路最小。
  
  PN8611输出特性
  
  PN8611内置mos原边反馈芯片应用领域  
  ■ 开关电源适配器  
  ■ 电池充电器  
  ■ 机顶盒电源
  
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