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今年半导体资本支出同比再增加 SAMSUNG居榜首

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文章出处:骊微电子责任编辑:admin人气:-发表时间:2017-03-13 14:14
    近日,市调机构IC Insights统计指出,今年全球半导体资本支出将较去年再增加6%,预期SAMSUNG、英特尔今年资本支出均年增逾两位数,台积电则减2%,使得台积电今年资本支出预估100亿美金,低于英特尔的120亿美金、退居第三位。
 
    IC Insights统计,今年全球半导体资本支出将达723.05亿美金,其中,韩国SAMSUNG今年资本支出居冠为125亿美金,年增11%;美国英特尔估为120亿美金,今年资本支出较去年大幅增加25%。台积电去年资本支出估约102.49亿美金新高,今年则是100亿美金,居于第三。
 
    IC Insights统计中看出,前十大厂商有两家今年资本支出成长在两成以上,分别是英特尔的年增25%与格罗方德(GlobalFoundries)的33%。格罗方德去年资本支出大减62%,今年资本支出为20亿美金,且预计直接挑战7nm制程。
 
    目前英特尔也在冲刺7nm制程。台积电更取得优势地位;董事长张忠谋2日表示,今年全球半导体市场会表现不错,预估将较去年成长4%-5%,台积电会优于产业成长率,预估今年台积电营收会有5%-10%成长,台积电的制程技术亦超越任何竞争者。
 
    另外,DRAM市况持续看好,SAMSUNG、海力士预估将增加资本支出11%与16%。另一家存储器厂美光,去年资本支出成长28%;美光去年底收购华亚科后,今年资本支出则年减13%为50亿美金。
 
    此外,晶圆代工厂中芯去年资本支出大增87%,但今年预估资本支出年减12%为23亿美金。至于联电去年资本支出估达28.42亿美金新高,今年预估降3成至20亿美金。
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